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AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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siehe Spezifikationen für Produktdetails.

FDN360P

Hersteller-Teilenummer: FDN360P
Hersteller / Marke: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Teil der Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3
Datenblätte: 1.FDN360P.pdf 2.FDN360P.pdf
RoHs Status: Lead free / RoHS Compliant
Zustand des Lagers: 305017 pcs Stock
ECAD -Modell:
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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  • ArtikelnummerFDN360P
  • HerstellerAMI Semiconductor / ON Semiconductor
  • BeschreibungMOSFET P-CH 30V 2A SSOT3
  • KategorieDiskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel
  • Teilstatus305017 pcs Stock
  • VGS (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
  • Vgs (Max)±20V
  • TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-GehäuseSuperSOT-3
  • SeriePowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs80 mOhm @ 2A, 10V
  • Verlustleistung (max)500mW (Ta)
  • VerpackungCut Tape (CT)
  • Verpackung / GehäuseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere NamenFDN360P_F095CT
    FDN360P_F095CT-ND
    FDN360PCT
  • Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
  • BefestigungsartSurface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit42 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds298pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 10V
  • Typ FETP-Channel
  • FET-Merkmal-
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)30V
  • detaillierte BeschreibungP-Channel 30V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C2A (Ta)
  • FDN360P Einzelheiten PDF [English]FDN360P PDF - EN.pdf
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